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说出半导体工艺中掺杂的作用,举出两种掺杂方法,并比较其优缺点。

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第1题
在非本征半导体中,载流子(电子和空穴)的激发方式为()。

A.电

B.热

C.磁

D.掺杂

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第2题
对于半导体材料,若(),导电能力减弱。

A.环境温度降低

B.掺杂金属元素

C.增大环境光照强度

D.掺杂磷或硼元素

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第3题
离子注入工艺中被掺杂的材料称为靶,靶材料可以是晶体,也可以是非晶体,非晶靶也称为无定形靶。()
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第4题
讲解中掺杂庸俗,下流内容的扣除6分。()
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第5题
掺铒光纤放大器()利用光纤中掺杂的()元素引起的增益机制实现光放大。
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第6题
在离子注入法的掺杂过程中,注入离子在非晶靶中的浓度分布函数满足对称的高斯分布,其浓度最大位于()处。
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第7题

下列表征太阳电池参数中,哪个不属于太阳电池电学性能重要参数()。

A.开路电压

B.短路电流

C.填充因子

D.掺杂浓度

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第8题
相同掺杂浓度下,多晶硅的电阻率比单晶硅的电阻率高得多。()
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第9题
对食品添加剂的要求包括()。

A.不应对人体产生任何健康危害

B.不应掩盖食品腐败变质

C.食品工业用加工助剂一般应在制成最后成品之前除去,有规定食品中残留量的除外

D.不应掩盖食品本身或加工过程中的质量缺陷或以掺杂、掺假、伪造为目的而使用食品添加剂

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第10题

以下图为一加热炉温度控制系统,根据工艺要求,出现故障时炉子应该熄火,试说出:

1.被控对象、被控变量、操纵变量、干扰量

2.调节阀的风开、风关型式,

3.调节器的正反作用方式。

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第11题
需要对废旧金属熔炼企业放射性监测工作进行监督检查,是因为废旧金属可能掺杂失控的放射源或被放射性物质污染的金属制品,从而引发辐射事故。()
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