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题目内容（请给出正确答案）

[多选题]

关于PN结说法正确的是（）。

A.利用杂质补偿原理，在P型和N型半导体的界面上形成PN结

B.在PN结的界面上发生载流子的扩散；由于复台作用，界面上载流子被耗尽

C.耗尽层内由于离子带电形成空间电荷区

D.内建电场引起的漂移运动与扩散运动方向相反，最终阻止载流子的进一步移动

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第1题

PN结隔离所依据的基本原理是利用PN结正向偏置时的高阻性。（）

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第2题

关于半导体二极管的主要参数，下列说法不正确的是()。

A.最大整流电流：管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流

B.正向压降：二极管正向导通后的压降，一般情况，硅管的正向压降为0.2V左右

C.反向电流：指管子未击穿时的反向电流，这个值越小，管子的单向导电性越好

D.极间电容：PN结存在扩散电容和势垒电容，极间电容是反映二极管中PN結电容效应的参数，它是扩散点燃和势垒电容之和

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第3题

PN结具有一个显著的特点是，正是利用该特点，所以将其制作成普通的二极管（）。

A.击穿特性

B.掺杂特性

C.单向导电性

D.频率特性

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第4题

下列关于过程定级说法正确的是（）

A.G或EG（Pn）≥90%,具备质量能力

B.80%≤EG或EG（Pn）＜90%，有条件地具备质量能力

C.G或EG（Pn）＜80%，不具备质量能力

D.以上都不对

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第5题

晶体三极管是由两个PN结构成的一种半导体器件。（）

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第6题

实用的半导体激光器均为异质结，即PN结由不同的半导体材料制成。()

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第7题

关于垂直管理，以下说法正确的是（）

A.覆盖超市和小超渠道

B.KA市场输出策略和方法

C.区域100%执行

D.覆盖食杂渠道

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第8题

PN结的特性是（）和（）。

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第9题

()是PN结的一个基本特性。

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第10题

PN结正向偏置时，内外电场方向一致。（）

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第11题

PN结的最基本的性质是（）性。

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