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第4题
工作于截止区的三极管的两个PN结的偏置状态为()。
A.发射结正向偏置，集电结正向偏置
B.发射结反向偏置，集电结反向偏置
C.发射结正向偏置，集电结反向偏置
D.发射结反向偏置，集电结正向偏置
第5题
工作于饱和区的三极管的两个PN结的偏置状态为()。
A.发射结正向偏置，集电结正向偏置
B.发射结反向偏置，集电结反向偏置
C.发射结正向偏置，集电结反向偏置
D.发射结反向偏置，集电结正向偏置
第7题
工作于放大区的三极管的两个PN结的偏置状态为()。
A.发射结正向偏置，集电结正向偏置
B.发射结反向偏置，集电结反向偏置
C.发射结正向偏置，集电结反向偏置
D.发射结反向偏置，集电结正向偏置
第8题
关于半导体二极管的主要参数，下列说法不正确的是()。
A.最大整流电流：管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流
B.正向压降：二极管正向导通后的压降，一般情况，硅管的正向压降为0.2V左右
C.反向电流：指管子未击穿时的反向电流，这个值越小，管子的单向导电性越好
D.极间电容：PN结存在扩散电容和势垒电容，极间电容是反映二极管中PN結电容效应的参数，它是扩散点燃和势垒电容之和
