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[判断题]

外延层的晶向与衬底的晶向相同。()

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第1题

硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向，通常偏离（100）或（111）等晶向一个小角度，为什么？

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第2题

通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延，反之称为反向外延。（）

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第3题

异质外延对衬底和外延层有什么要求？

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第4题

小角度晶界晶粒的位向差小于（）度。

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第5题

下面哪一项不属于热致液晶（）。

A.近晶相

B.向列相

C.胆甾相

D.螺距相

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第6题

切片是抛光片制备中一道重要的工序，因为这一工序基本上决定了硅片的四个重要参数，即晶向、()、()、()。

A.平行度

B.直径

C.翘度

D.厚度

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第7题

下面那一项不属于热致液晶（）。

A.近晶相

B.向列相

C.胆甾相

D.螺距相

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第8题

明确园部疫情报告人及时、依次向有关单位报送信息说法正确的是（）

A.园部行政：王志妹向梁溪区教育局体卫艺科汇报

B.徐晶：向梁溪区疾控中心汇报

C.以上都是

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第9题

液晶主要分为两类，分别是（）。

A.近晶相和向列相液晶

B.胆甾相和螺距相液晶

C.层状液晶和丝状液晶

D.热致液晶和溶致液晶

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第10题

什么是扩散效应？什么是自掺杂效应？这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化？

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第11题

可以证明某种硝酸钾溶液是20 ℃时的饱和溶液的事实是（）

A.降温到10 ℃时，有硝酸钾晶体析出

B.蒸发掉10 g水，有硝酸钾晶体析出

C.20 ℃时，向原溶液中加入少量硝酸钾晶体，晶体没有溶解

D.加热到30 ℃后，再加入硝酸钾晶体能继续溶解

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