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第1题
硅片热氧化生长遵从如下公式：t+At=B(t+τ)，其中t为硅片经过t时B/A为线性速率系数间后SiO的生长厚度(μm);B为抛物线速率系数(μm(μm/h);τ为生成初始氧化层(同一工艺参数)所用的时间(h)。我们希望通过对一初始表面氧化层厚度为0的硅片进行一2段氧化过程：干氧(0.5h)—湿氧(2h)来生成厚的SiO薄膜作为隔离场氧层。干氧温度为1100℃，湿氧水汽氧化温度2为920℃。已知：920℃下水汽氧化相关工艺参数分别为：A=0.50μm，B=0.20μm/h;1100℃下干氧氧化相关工艺参数分别为：2A=0.09μm，B=0.03μm/h。试计算：a、0.5h内干氧生成的SiO厚度(μm)b、2h内湿氧水汽氧化所生成的SiO厚度(μm)c、整个氧化过程所消耗的硅层的厚度(μm)。
第3题
《建筑信息模型应用指南》中，设计概算工程量计算应用项的数据准备包含哪些（）
A.初步设计模型
B.与初步设计概算工程量计算相关的构件属性参数信息文件
C.概算工程量计算范围、计量要求及依据等文件
D.场平布置图
第4题
技术援助报告内容必须包含车辆的基础信息、故障现象、有无加装、维修过程（检查的部位及结果），测量的相关数据（故障码、数据流、电压、电流、电阻、定位参数、转向力等）、替换过的配件、处理完毕之后的实际情况（）
第5题
投资估算的编制依据主要包括（）
A.相关行业投资估算编制办法、费用定额及工程造价信息
B.类似工程的各种技术经济指标和参数
C.工程勘察与设计文件
D.工程所在地的同期的人工、材料、设备的市场价格
E.项目有关合同、会议纪要
