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[主观题]

已知一线性时不变系统对激励f(t)=sintε(t)的零状态响应y(t)的波形如图2.18所示。求该系统的单位冲激响应h(t)

已知一线性时不变系统对激励f(t)=sintε(t)的零状态响应y(t)的波形如图2.18所示。求该系统的单位冲激响应h(t),并画出其波形。

已知一线性时不变系统对激励f(t)=sintε(t)的零状态响应y(t)的波形如图2.18所示。求该

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第1题
已知某线性时不变连续系统的阶跃响应g(t)=e﹣tε(t),求当输入信号f(t)=3 e2t(一∞zs(t)。

已知某线性时不变连续系统的阶跃响应g(t)=e﹣tε(t),求当输入信号f(t)=3 e2t(一∞zs(t)。

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第2题
描述某线性时不变连续系统 的框图如图J5.17所示,已知当输入f(t)=3(1+e-t)ε(t)时,系统的全响应

描述某线性时不变连续系统

的框图如图J5.17所示,已知当输入f(t)=3(1+e-t)ε(t)时,系统的全响应

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第3题
下列微分或差分方程所描述的系统,是线性的还是非线性的?是时变的还是时不变的? (1)y’(t)+2y

下列微分或差分方程所描述的系统,是线性的还是非线性的?是时变的还是时不变的? (1)y’(t)+2y(t)=f’(t)一Zf(t) (4)y(k) +(k一1)y(k一1)=f(k) (5)y(k) +y(k一1)y(k一2)=f(k)

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第4题
[例3-5]已知某线性时不变系统的微分方程为 试求系统的冲激响应h(t)。

[例3-5]已知某线性时不变系统的微分方程为

试求系统的冲激响应h(t)。

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第5题
已知某一LTI系统对输入激励e(t)的零状态响应rzs(t)=et-τ(τ-1)dτ,求该系统的单位冲激响应。

已知LTI系统,当输入f(t)=e^(-t)U(t)时,零状态响应yf(t)=(3e^(-t)-4e^(-2t)+e^(-3t))U(t),试求系统的冲激响应。

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第6题
已知线性时不变系统的单位抽样响应为h(n),则系统稳定的充要条件是()。
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第7题
设H(p)是线性时不变系统的传输算子,且系统起始状态为零,试证明[H(p)δ(t)]e-αt=H(p+α)δ(t)。

设H(p)是线性时不变系统的传输算子,且系统起始状态为零,试证明[H(p)δ(t)]e-αt=H(p+α)δ(t)。

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第8题
已知激励信号为e(t)=e-t,零状态响应为,求此系统的冲激响应。

已知激励信号为e(t)=e-t,零状态响应为,求此系统的冲激响应。

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第9题
硅片热氧化生长遵从如下公式:t+At=B(t+τ),其中t为硅片经过t时B/A为线性速率系数间后SiO的生长厚度(μm);B为抛物线速率系数(μm(μm/h);τ为生成初始氧化层(同一工艺参数)所用的时间(h)。我们希望通过对一初始表面氧化层厚度为0的硅片进行一2段氧化过程:干氧(0.5h)—湿氧(2h)来生成厚的SiO薄膜作为隔离场氧层。干氧温度为1100℃,湿氧水汽氧化温度2为920℃。已知:920℃下水汽氧化相关工艺参数分别为:A=0.50μm,B=0.20μm/h;1100℃下干氧氧化相关工艺参数分别为:2A=0.09μm,B=0.03μm/h。试计算:a、0.5h内干氧生成的SiO厚度(μm)b、2h内湿氧水汽氧化所生成的SiO厚度(μm)c、整个氧化过程所消耗的硅层的厚度(μm)。
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第10题
如图甲所示,水平地面上的一物体受到方向不变的水平拉力F的作用,F的大小与时间t的关系及物体速度v与时间t的关系如图乙、丙所示.则下列说法不正确的是()

A.0~2s内物体处于静止状态

B.4~6s内物体的机械能不变

C.2~4s内物体受到的摩擦力为3N

D.4~6s内拉力对物体做功的功率为8W

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第11题
设线性调频矩形脉冲信号为 其中,为矩形函数;μ为调频系数。线性调频信号的包络是宽度为τ的矩形脉冲;信号

设线性调频矩形脉冲信号为

其中,为矩形函数;μ为调频系数。线性调频信号的包络是宽度为τ的矩形脉冲;信号的瞬时频率是随时间线性变化的。如果调频斜率为正,则如图所示。

线性调频信号的瞬时频率为

在脉冲宽度τ内,信号的角频率由变化到;调频带宽;其重要参数时宽带宽积D为

现考虑信号s(t)的匹配滤波问题。假定线性时不变滤波器的输入信号为

x(t)=s(t)+n(t)

其中,n(t)是均值为零、功率谱密度为Pn(ω)=No/2的白噪声。

(1)求线性调频信号的频谱函数S(ω)。

(2)求信号s(t)的匹配滤波器的系统函数H(ω)。

(3)求信号s(t)的匹配滤波器的输出信号so(t)和输出的功率信噪比SNRo

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